钙钛矿东风渐起,或为光伏终极路线_焦点要闻

1.钙钛矿：生态链快速建设，产业从0到1爆发前夕

1.1.第三代太阳能电池，或为光伏最终路线

(资料图片)

第三代太阳能电池，转换效率大幅提升。第一代光伏电池以单晶硅和多晶硅为主，根据硅片类型可进一步划分为P型和N型，P型代表为单晶PERC，为当前主流技术路线。N型代表则为TOPCon和HJT，极限效率分别为28.7%和27.5%,目前光伏产业链正处于N型快速扩张时期；第二代则是以砷化镓为代表的薄膜型电池，但是制备成本较高；而钙钛矿为代表的第三代薄膜电池，具有PCE高和成本低廉的双重优势。单结钙钛矿极限效率约为33%，叠层可达到40%以上。

直接隙材料优势明显，光吸收系数较高。钙钛矿材料性能优异主要来自于其独特的面心立方体结构，具有优异的光电性质-吸光系数高、带隙可调、激子结合能低和扩散距离长等优势，其结构式可表示为AMX3，当前对钙钛矿材料的研究多集中在甲胺铅卤化物(MAPbX3)、甲脒铅卤化物(FAPbX3)、铯铅卤化物(CsPbX3)和铯锡卤化物(CsSnX3)等。

介孔层增强载流子收集能力。钙钛矿电池沿用燃料敏化太阳能电池的叫法，把电子传输层在底下的为正式结构，反之则为反式结构。再根据介孔层- ( Mesoporous Layer)进一步划分为介孔和平面。介孔层的作用主要是为钙钛矿提供沉积支架和传输电荷，通过降低传输距离增强载流子收集能力并阻止漏电。但是介孔层会限制晶粒生长，反而降低开路电压（Voc）和短路电流密度（Jsc）。 PSCs发展速度远超晶硅，大尺寸组件开始突破。钙钛矿2009年首次应用时效率仅为3.8%，2016年电池效率就突破20%。2023年3月，极电光能官方公众号发布其809.8cm2大尺寸钙钛矿光伏组件经国际权威机构JET检测认证，其转换效率达到19.9%。目前公司在16.7cm2钙钛矿组件转换效率也已经突破22.9%。

1.2.钙钛矿VS晶硅：效率大幅提升，降本潜力远超晶硅

1.2.1.效率端：前沿效率不断刷新，效率接近转换极限

实验室效率日新月异，叠层进展迅速。根据美国NREL统计，自上世纪70年代发明晶硅电池以来，当前晶硅路线HJT最高效率为26.81%（隆基，2022/11）。而钙钛矿自14.1%（EPFL，2013/06）仅仅用9年就达到了25.7%（UNIST，2022/01）；钙钛矿/硅叠层更是达到了32.5%。在极限效率上，单结钙钛矿的效率极限为33%，而晶硅电池的理论转换效率极限为29.4%，叠层钙钛矿更可以达到40%以上。

1.2.2.成本端：产业链一体化提升，效率接近转换极限

降本增效持续推进。根据极电光能测算，百MW钙钛矿成本已经低于晶硅组件。百MW阶段的成本有望控制在1-1.5元/瓦之间；GW级别生产时，成本可降到0.8元/瓦；10GW级别降到约0.6元/瓦。若钙钛矿组件效率在达到17%同时保持成本在1.3元/瓦以内，并且寿命稳定25年则将拥有较强的市场竞争力。产业链投资进一步集中，约为晶硅线路的50%。光伏晶硅产业链涉及硅料厂-硅片厂-电池厂-组件厂合计四个环节，合计投资额约9.6亿元，中间考虑运输环节需要耗时3日以上。而钙钛矿从原材料到组件出厂仅需要一个工厂，耗时45分钟左右。预计未来在GW级别投产情况下，钙钛矿电池投资额可降至晶硅线路的一半，GaAs的十分之一。

压缩极限成本，材料成本占比约56%。长期来看，钙钛矿组件成本可降低至0.5-0.6元/瓦。同时钙钛矿电池原材料均属于基础化工材料，可通过人工合成，不含有稀有元素，对比晶硅路线的硅料更加廉价易得。从外，钙钛矿材料对杂质敏感度低，对原材料的纯度要求低于晶硅。在工艺上，钙钛矿生产温度不超150度，相比于晶硅1000度左右的高温可以做到降低能耗的作用。目前FTO导电玻璃约占材料成本的65%，但透明导电玻璃属于成熟产品，随着下游需求的扩张，产能可迅速扩张。

1.2.3.应用端：电站建设成本进一步降低，下游BIPV应用广泛

发电量占优，光伏电站建设成本降低。根据研究表明，得益于超高的吸光系数和禁带宽度，转换效率在17.9%的钙钛矿组件发电量约等于转换效率20.4%的晶硅组件。建设成本方面，假定钙钛矿组件转换效率为15%，晶硅组件转换效率20.5%。钙钛矿组件的建设成本约为3.12元/瓦，对比单晶硅组件的3.33元/瓦，其中组件上约有0.7元/瓦的优势，但在支架成本和土建成本上稍高于晶硅。综合考虑，钙钛矿较晶硅在电站建设上约有0.21元/瓦的优势。

BIPV打开下游应用空间。BIPV，即光伏建筑一体化是指将太阳能发电产品集成到建筑上的技术。基于钙钛矿电池材料的轻薄性、透光性、吸光能力，钙钛矿产品可以较好的适配各类使用场景，尤其对于有采光要求的办公楼等墙体。

1.3.钙钛矿制备：稳定性及大面积制备有望突破

1.3.1.大面积制备：湿法经济性显著，干法效果好但成本较高

干法均匀性高，设备为主要瓶颈。常见的干法工艺为气相沉积法，在真空的环境下通过蒸镀的方式制备钙钛矿薄膜。相比于湿法工艺，气相沉积法可以通过控制蒸发源精确调控钙钛矿中各组分的化学计量比，从而保证薄膜的均匀性。但是干法工艺对真空环境要求极高，需要较长的抽真空时间，这也使得干法工艺成本上升，单台产能下降（制备时间长）。

湿法核心在于形核结晶，狭缝涂布或成主流。早期实验室制备钙钛矿多使用一步或两步溶液旋涂工艺。一步法操作简单先制备溶液并将混合前驱体旋涂于衬底上，退火结晶（温度100-150℃），形成纯相、无针孔、致密的钙钛矿结构层。两步法与之类似，分开旋涂后再在热台上退火。随着大面积制备需求显现，湿法工艺逐渐发展出了刮刀涂布、狭缝涂布、丝网印刷、喷涂法、喷墨打印法。通常湿法步骤包括溶剂挥发→溶液过饱和+成键→溶质析出/形成晶核（同质随机形核）→晶粒生长→形成固态多晶薄膜。钙钛矿的形核和工艺窗口窄，并且随着面积的放大控制难度上升。旋涂法薄膜组分均匀同时晶粒大小调控简单但是不适合大规模量产，而狭缝涂布法溶液利用率高，适合大面积生产，但在均匀性控制上仍需改进。

1.3.2.稳定性进展可期，材料及封装技术持续优化

稳定性验证顺利，材料技术优化稳步推进。目前部分企业钙钛矿组件已经通过多项IEC61215晶硅光伏组件标准。普林斯顿大学通过2D-PVSK界面钝化以及双重封装技术在1sun/35-110℃标准下T80＞30年；莱斯大学利用3D/PP-2D bilayer，在1sun/60℃ /75%RH的老化条件下实现T99＞2000h。

长期稳定性优化路径清晰，头部企业进展可期。纤纳光电2019年底通过全球首次IEC标准稳定性测试；2020年7月在湿热实验测试中，将组件老化时间由1000小时提升至3000小时。纤纳α组件通过IEC61215和IEC61730稳定性全体系认证。长期角度来看，钙钛矿通过优化材料体系/无机电荷传输层/金属氧化物电荷传输层阻挡/采用复合电极以及优化组件封装技术进一步加强钙钛矿组件稳定性。

2.钙钛矿叠层：提升效率极限，多路径共同发展

叠层技术百花齐放，全钙钛矿叠层成本占优。按照电极的连接方式可分为两端/三端/四端叠层，两端结构为子电池串联，机械堆叠的四端叠层子电池独立运行，不比考虑二者兼容性，但是寄生吸收大，成本高；按照材料选择可进一步细分为钙钛矿-晶硅叠层/全钙钛矿叠层/钙钛矿-有机叠层/钙钛矿-CIGS叠层。目前产业化进度较快的是全钙钛矿叠层和钙钛矿-晶硅叠层。从LCOE角度晶硅/钙钛矿叠层约为5.22元，略高于全钙钛矿叠层的4.22元。考虑到目前两者极限效率差距不显著，同时在组件尺寸以及晶硅产业链成熟度来看，预计初期晶硅/钙钛矿的进度更快，中长期切入全钙钛矿叠层。

2.1.结构选择：两端、三端or四端？

两端集成一体VS四端机械堆叠。叠层电池通过宽带隙电池与窄带隙电池串联，利用全光谱范围内的光子，突破单结极限效率。目前主流的叠层结构为2端和4端器件，两端叠层理论PCE为45.7%略低于四端叠层的46%。四端机械堆叠电池，工艺难度上机械堆叠的四端叠层电池最容易制作，两个子电池独立制作，仅在光学耦合/没有电气连接。四端口器件需要的电子元器件翻倍（例如逆变器），寄生吸收大、制造成本高。两端集成一体电池，两个子电池通过复合层/隧道结将子电池串联连接，对比四端机械堆叠仅需要一个透明电极，可以直接在硅电池上沉积钙钛矿电池，减少电极用料和沉积步骤。但是两端叠层缺陷在于：子电池串联工作，因此二者必须有相似的光电流，电池电流受电流较低的子电池影响。同时晶硅电池表面的陷光结构也会增加钙钛矿薄膜的沉积难度。三端叠层受限于低带隙电池Voc过小，性能和发展速度慢于其它路线。

2.2.材料选择：全钙钛矿叠层or钙钛矿/晶硅叠层

2.2.1.全钙钛矿叠层：窄带隙材料或为关键瓶颈

钙钛矿材料带隙可调，为理想叠层材料。卤素钙钛矿带隙从1.2eV到3eV连续可调，使用窄带隙和宽带隙的钙钛矿作为叠层电池可以获得更高的转换效率。2019年前窄带隙钙钛矿性能差，是限制叠层电池性能的主要原因。因此提升窄带隙钙钛矿薄膜载流子扩散长度，提升光电流密度成为研究的主要方向。通过使用缺陷调控-抑制前驱体溶液中Sn2+的氧化/增强晶粒表面缺陷钝化，提升窄带隙钙钛矿电池性能。

全钙钛矿叠层效率提升路径清晰。核心为三大路径-（1）互联层/隧穿结，过原子层沉积（ALD）制备互联层和金属复合层的新型隧穿结结构（SnO2），金团簇层增强载流子复合，简化制作过程实现全溶液法制备钙钛矿薄膜；（2）窄带隙电池通过缺陷调控，增加窄带隙钙钛矿薄膜载流子扩散长度，增大光电流密度和开路电压；（3）宽带隙顶电池，可通过对Cs含量调控，加速形核与结晶，提升均匀致密性。

2.2.2.硅/钙钛矿叠层：HJT结构占优，与现有产业快速融合

硅属于间接带隙材料，为绝佳的底电池。硅的带隙为1.12eV，而卤素钙钛矿带隙从1.2eV到3eV连续可调，两者可相互搭配，同时晶硅产业已经具备成熟的产业链，目前晶硅路线进入N型元年但也在逐步达到效率极限，选择与钙钛矿叠层可以百尺竿头更进一步，后期或将通过改造方式来提升效率。两端叠层：成本低、易量产、工艺较复杂、底电池工艺匹配挑战较大；四端叠层：制造简单、组合灵活、与底电池技术相互独立，系统端设计复杂。早期叠层电池选择PERC作为底电池，随着HJTR和TOPCon技术逐渐成熟，尤其异质结本身结构和低温工艺，对钙钛矿叠层的适配度更高。硅/钙钛矿叠层电池较原有晶硅路线和单结钙钛矿具有更高的转换效率，目前钙钛矿产业链仍处于产业化初期，因此硅/钙钛矿叠层或将成为前中期主流，随着对钙钛矿材料体系认知逐步深入，再转入全钙钛矿叠层。

HJT+钙钛矿叠层：钙钛矿电池能有效利用高能量的紫外和蓝绿可见光。而异质结电池可以有效的吸收钙钛矿材料无法吸收的红外光。结构上，HJT具备透明导电层（TCO），可与钙钛矿叠层完美适配，改造难度小，同时HJT本身为对称结构可以兼容正式和反式钙钛矿电池。优势：自带TCO；开压高；对称结构兼容性强；劣势：异质结绒面金字塔与钙钛矿涂层仍有匹配问题需要解决；代表厂：宝鑫、杭萧钢构、牛津光伏等。

TOPCon+钙钛矿叠层：TOPCon正面的氮化硅与氧化铝不导电，需要进行结构改造优势：产线投资额低，经济性高；劣势：本身不带TCO需要改造；增加TCO后失去高电流优势；代表厂：中来、黑晶-皇氏集团。

异质结钙钛矿叠层为研发主流。由于HJT具备双面对称结构+低温工艺+自带TCO，可与钙钛矿叠层完美适配，改造难度小，工艺流程简单。目前进度较快的是合特光电（杭萧钢构）和宝馨科技。合特光电目前建立中试线目标转换效率28%以上，目前产线设计能兼容生产166mm和182mm尺寸规模的晶硅组件；宝馨科技叠层发展路径-（1）2023年在2023年上半年完成新实验线建设；（2）2024年启动百兆瓦级别的钙钛矿叠层线建设，目标实验室效率大于32%，加速老化等效外推达到25年； （3）2026年钙钛矿/异质结叠层GW级产线升级，实现量产210半片钙钛矿/异质结叠层电池，电池效率在基底异质结的基础上提升率大于15%，首年衰减不超过3%，以后每年衰减不超过0.5%,量产寿命大于25年。

2.3.多条中试线建立，产业政策纷至沓来

头部企业多以百兆瓦线为主，GW级招标可期。目前头部的协鑫光电、纤纳光电和极电光能都基本完成百兆瓦中试线建设，当前首要目标是打通工艺，为后续GW级扩产打下基础。根据对各钙钛矿企业产线建设规划，更多企业开始布局百兆瓦线，头部企业在为GW级扩产做准备，预计2024年将出现GW级别招标，同时钙钛矿组件相关标准也在积极制定，随着后续长期稳定性的解决和大面积制备线路确立，钙钛矿产业将快速完成从0到1的突破快速放量。

产业支持政策持续落地。目前各部门正在积极出台相关产业政策支持钙钛矿产业链发展。国家能源局分别在《“十四五”可再生能源发展规划》以及《工业和信息化部等六部门关于推动能源电子产业发展的指导意见》提出推动钙钛矿及叠层电池制备的技术研究。工信部也于2023年1月发布了《推动能源电子产业发展的指导意见》推动钙钛矿及叠层电池等先进技术的研发应用，提升规模化量产能力。产业融资盛况空前，资本合作如火如荼。头部的协鑫光电、纤纳光电和极电光能均已完成数轮融资，为后续钙钛矿中长期发展打下坚实基础，同时具有一定技术积累与相关性的企业也正在融资转型，加速产业化建设。

3.钙钛矿设备：镀膜设备为核心，技术路线百花齐放

3.1.钙钛矿生产流程及对应设备

钙钛矿生产技术线路百家争鸣。通常情况下，钙钛矿组件生产需要经历玻璃清洗→沉积导电层（PVD）→沉积电子传输层（RPD/ALD+PVD/狭缝涂布）→沉积钙钛矿层（刮刀/狭缝涂布）→沉积空穴传输层（PVD/狭缝涂布）→组件封装（层压机），若采用涂布工艺则还需配置VCD进行钙钛矿干燥。根据协鑫100MW中试线推测，目前钙钛矿核心装备为真空镀膜设备（PVD/RPD），然后依次为涂布设备、激光设备（四道工序）以及封装设备。

核心为真空镀膜设备，工艺选择仍需探索。钙钛矿工艺类似OLED面板制造，TCO层制备通常选择PVD设备；HTL-电子传输层可使用PVD或狭缝涂布；电子传输层则以RPD效果较好。各环节膜层均有不同适配设备，钙钛矿材料选择也会影响设备选型。

3.1.1.镀膜设备：价值占比较高，为钙钛矿核心设备

物理气相沉积（PVD）-物理气相沉积是指使用机械、机电或热力学过程将材料从源释放并沉积在基材上的应用技术。其中固体材料在真空环境中蒸发并作为纯材料或合金成分涂层沉积在基材上。物理气相沉积（PVD）最常见的两种技术是蒸发和溅射。该工艺将涂层材料作为单个原子或在分子水平上转移，它可以提供极其纯净和高性能的涂层，热蒸镀-加热一种固体材料，该材料在高真空室内沉积到基材表面；磁控溅射-使用磁铁将电子捕获在带负电的靶材上，具有更快的薄膜沉积速率。

RPD具备较低的离子轰击。RPD即等离子体镀膜-通过等离子枪产生的等离子体进入到工艺腔体内，然后在磁场作用下打到靶材上，靶材升华沉积至衬底上。相比于传统的PVD磁控溅射，RPD具有低离子损伤、低温沉积温、可大面积制备和生长速高率等优点，但是RPD设备成本较高同时核心专利、靶材及零部件仍然受到专利限制，并且RPD产能较低。目前国内靶材公司正在积极开发相应产品，但设备及零部件降本仍需要不断推进。

专利为核心壁垒，HJT领域已有应用。RPD专利由日本住友掌握，早期在大陆地区将专利授权给捷佳伟创。除离子轰击小外，RPD还具有穿透率高、载子迁移高等良好的光电综合效应。在HJT领域已有成熟应用，较常规异质结装备有约0.6%的效率增益，成功开发出量产设备，未来有望在钙钛矿领域持续迭代优化、

3.1.2.涂布设备：高精密狭缝涂布，干燥结晶为重点

狭缝涂布有望成为主流，德沪涂膜约市占率70%。狭缝挤压式涂布技术是一种先进的预计量涂布技术，能获得较高精度的涂层，在锂电池、液晶显示以及半导体先进封装已经有应用。相比于刮刀涂布，狭缝涂布具备更大的液膜厚度范围以及溶液粘度要求，在原料利用以及可重复性上也优于刮刀涂布。狭缝挤压式涂布技术在产业化应用的核心瓶颈是需要解决能适应不同流量、温度、压力、粘度情况下设计与浆料匹配的涂布头。

3.1.3.激光设备：P1-P4四道激光工艺，设备厂商竞争激烈

四道激光工序，设备占比约10%。P1工艺：通过激光设备分割底部的TCO衬底。在导电玻璃电极TCO层制备完成后，在制备空穴传输层、钙钛矿层和电子传输层之前通过激光设备进行划线，形成相互独立的TCO衬底→P2工艺：露出TCO衬底，为连接相邻两节子电池的正负电极提供通道。→P3工艺：去除部分功能层以分割相邻子电池的正极，为了保证不损伤P2层，对激光设备加工精度要求较高。→激光清边P4工艺：封装前的清理工艺，利用激光技术清除掉电池边缘的沉积膜。

激光划线优势： 1-适应先进工艺：可选配光斑整形镜和皮秒/飞秒激光器，划线热效应小，最小划线线宽可小于20μm，线间距小于40μm，可实现死区宽度＜150 μm，GFF＞95% 。 2-0机械精度高：采用伺服/直线电机光栅和大理石平台，机械精度可达1-5 μm。 3-工艺兼容好：1）可实现正反向划线，2）配备吸风装置防止划线污染，3）可划线各类薄膜光电中的薄膜，如钙钛矿, aSi,aSi/μSi, CIGS/CdS,金属和TCO等。

3.1.4.封装设备：完全覆盖封装VS边缘封装

薄膜封装有望成为主流，POE优势明显。封装工艺大致如下，完全覆盖封装-在模块顶部制备封装层（可通过聚合物或ALD制备薄膜）；边缘封装-在模块周围放置密封剂。完全覆盖有更好的保护效果但是会直接接触钙钛矿功能层。薄膜封装就是利用位于玻璃基板与顶盖之间的薄膜防止组分分解，可以通过玻璃-聚合物薄膜封装/ALD薄膜沉积/复合薄膜封装，其中ALD沉积薄膜致密性、可精确控制、大面积制备、水阻隔能力强等优点，但是仍需解决设备成本高、固有热损伤以及耗时长等问题，后续研究集中在降低工艺温度以减少热损伤。

POE优势明显。从封装材料看，影响PSC稳定性的封装主要有三个核心指标（1）加工温度，一般为140℃，可配合热稳定性较高的有机-无极杂化钙钛矿；（2）水蒸气透过率，PIB的水蒸气透过率数量级可达10 -2 -10-3，同时密封方式和各材料层之间的附着力也会造成影响；（3）弹性模量，弹性模量（过高会出现开裂或热膨胀分层）。综合考虑，POE水气阻隔强，弹性模量与EVA接近，并且具备更高的抗电势诱导衰减。

3.1.5.钙钛矿叠层设备：缓冲层沉积为核心，ALD/RPD为关键设备

叠层结构增加缓冲层，原子层沉积效果显著。在全钙钛矿叠层以及硅/钙钛矿叠层中，通常需要制备缓冲层（SnO2）。ALD设备沉积的SnO2可以作为正置结构的电子传输层还可用于晶硅钙钛矿叠层电池中充当电子阻挡层/缓冲层，厚度15nm至20nm之间。当前钙钛矿产业处于实验中试阶段，ALD设备成膜质量好，适合产品开发，可以较好的保持温度均匀性。

4.钙钛矿设备和市场空间测算

核心假设：

（1）产能：假使公告全部投产，2022年钙钛矿产能约为0.96GW，根据各家建设规划情况测算，我们预计2023-2026年钙钛矿累积产能分别为1.11GW、5.65GW、 12.40GW以及27GW，对应每年新增0.15GW、4.54GW、6.75GW和14.60GW。

（2）镀膜及涂布设备：目前100MW钙钛矿整线价值量在1.2亿元左右，根据技术路径不同价值量会有所变化，因此我们假设使用真空镀膜和狭缝涂布结合方式，随着规模效应，单GW设备投资额降逐步降低，2024年-2026年分别为9.6亿元/GW、 9亿元/GW和8亿元/GW。作为核心工艺设备，真空镀膜设备与涂布设备占比将维持在50%和30%左右。

（3）激光设备：由于激光设备存在众多厂商，竞争激烈。预计2024-2026年激光设备价值量占比会下降到8%左右。对应单GW价值量分别约为7680万、7200万和6400万元。

（4）封装设备：封装技术对钙钛矿组件稳定性起到关键影响，因此我们假设组件设备价值占比将上升到12%左右。2024年-2026年单GW价值量分别约为1.15亿元、 1.08亿元和0.96亿元。

根据测算，2026年新增钙钛矿设备市场空间约为117亿元，对应存量设备市场空间约为234亿元，其中真空镀膜设备市场规模约117.27亿元、涂布设备约70.34亿元、激光设备约18.76亿元和组件设备28.13亿元。

5.重点公司分析

5.1.捷佳伟创：持续出货核心蒸镀设备，积极打造钙钛矿整线出货能力

光伏设备龙头，核心布局清洗制绒和电池工艺设备。公司作为光伏设备龙头，在清洗和沉积掺杂工艺优势明显。TOPCon领域公司重点布局PE-Poly三合一设备以及MAD二合一设备。PE-Poly核心设备产线年产能累计达100GW，PE-Poly方案市占率超过50%，充分受益此次TOPCon扩产潮。同时MAD设备替代原有氧化铝沉积设备，目前累计订单超20GW。钙钛矿在手订单超2亿，完善钙钛矿整线设备供应能力。自2022年下半年以来，公司钙钛矿设备及服务订单超过2亿元，多次中标某领先企业的RPD镀膜设备。除此之外，公司在HJT/TOPCon叠层钙钛矿领域设备销售持续放量，布局了RPD、 PVD、PAR、CVD、蒸法镀膜及精密狭缝涂布等多环节设备。

5.2.京山轻机：组件自动化设备优势明显，并向电池及工艺等设备延伸

组件层压机设备龙头，后续订单值得期待。公司2022年层压机出货量及市占率均处于第一位。2023年1月8日，晟成光伏北方基地新厂区竣工，进一步提升公司层压机设备供应能力。在HJT领域，公司与福建金石达成战略合作，供应异质结的清洗制绒及自动化设备。钙钛矿多技术路线布局，目标打造钙钛矿整线设备厂。公司2021年5月就与协鑫光电达成钙钛矿叠层电池技术合作开发协议。公司在钙钛矿镀膜设备布局了三个技术方向，主要是溅射式设备、蒸镀设备、ALD设备，其中ALD设备是和华中科技大学一起合作研发。

头部客户持续渗透，设备出海值得期待。公司业务扩张至25+国家和地区，目前客户主要有晶科、晶澳、天合光能、隆基、通威等等。目前国内头部光伏企业有海外建厂意愿，如隆基计划今年4月开工在美国俄亥俄州建设5GW的光伏组件厂，为公司打造全新增长极、

5.3.大族激光：钙钛矿激光刻划设备研发完成，后续订单值得期待

加大新能源产业投入，激光设备实现交付。公司2007年进入薄膜电池行业并进行了相关的研发生产，公司自主研发了钙钛矿激光刻划设备，在该领域市占率处于市场前列，在前沿研究机构及部分钙钛矿龙头企业均取得激光设备销售交付，并实现了大尺寸激光加工设备的整线交付。

5.4.帝尔激光：光伏激光设备龙头，多领域布局强者恒强

光伏激光设备龙头，钙钛矿量产订单交付。公司作为光伏激光设备龙头，2022年BC电池线路的激光设备订单接近40GW；PERC电池近100GW订单；TOPCon的激光SE设备订单持续落地，在头部客户获得0.25%以上稳定效率提升，部分可提效至0.3%以上。钙钛矿领域；2022年公司已有钙钛矿工艺设备订单的交付，并对钙钛矿激光技术进行储备。

5.5.杰普特：领先布局钙钛矿膜切设备，激光产品快速迭代

首台钙钛矿激光模切机，激光光源优势显现。2021年8月公司为大正微纳定制的首套柔性钙钛矿膜切设备，通过验收并正式投入生产使用。经客户测试验证，石油优化的超短激光脉冲工艺可以有选择性的除掉吸收层，划掉背电极层且不会损坏基地，可以实现高效高精度刻蚀，极大地降低了钙钛矿薄膜电池死区宽度。产品持续迭代优化，增强竞争力。目前公司针对钙钛矿激光膜切设备推出了第二代产品，覆盖P1-P3薄膜划切工艺段及P4清边工艺四台设备及前后小型自动化设备，更新后的方案在线宽可调区间以及加工效率方面相比之前都有较大的提升。

激光工艺需求明显，设备厂商竞争激烈。目前头部激光厂商均实现钙钛矿激光设备交付。杰普特布局时间较早，产品已迭至第二代；德龙激光从P0激光打标至P4激光清边均已实现交付，目前客户为百兆瓦级别；大族和帝尔为老牌光伏激光设备厂，在钙钛矿领域均有技术储备和前瞻布局。众能光电具备较强的装备和生产线设计制造能力客户覆盖中国华能、国家电投和宁德时代等大型企业。

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